全球半導體產業格局風云變幻，供應鏈安全成為各國競相布局的戰略高地。對中國而言，實現半導體產業鏈的自主可控，尤其是突破上游關鍵材料的瓶頸，是從根本上擺脫“卡脖子”困境的必由之路。可喜的是，在政策引導、資本投入與科研攻堅的多輪驅動下，我國在半導體新材料的研發與替代上已取得了一系列突破性進展。本期智東西內參將聚焦半導體產業鏈上游的“基石”——材料領域，系統梳理當前十大關鍵新材料的國產化替代現狀。

1. 大尺寸硅片：從追趕到并跑
硅片是芯片制造的基底材料，其中12英寸（300mm）大硅片是先進制程的主流。過去，該市場長期被信越化學、SUMCO等海外巨頭壟斷。如今，滬硅產業、中環股份等國內企業已實現12英寸硅片的規模化量產，并持續向更先進的邏輯與存儲芯片應用邁進，產能與技術水平穩步提升，初步滿足了國內fab廠的部分需求。

2. 第三代半導體材料（SiC/GaN）：換道超車的機遇
以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料，在新能源汽車、5G通信、快充等領域展現巨大潛力。我國在此領域布局較早，天科合達、山東天岳在SiC襯底，三安集成、英諾賽科在GaN-on-Si外延及器件制造方面已形成一定產業規模，部分產品性能達到國際先進水平，成為我國半導體產業實現局部領先的重要突破口。

3. 光刻膠：攻堅高端壁壘
光刻膠是光刻工藝的核心耗材，技術壁壘極高，尤其是KrF、ArF等高端光刻膠。南大光電、上海新陽、晶瑞電材等國內廠商已在KrF光刻膠上取得客戶驗證并實現小批量供貨；在更先進的ArF光刻膠領域，研發與驗證正在緊鑼密鼓地進行。雖然與日本JSR、TOK等巨頭仍有差距，但國產化進程已駛入快車道。

4. 電子特氣：國產替代成果顯著
電子特種氣體廣泛應用于薄膜沉積、刻蝕、摻雜等工藝。經過多年發展，華特氣體、金宏氣體、南大光電等公司已成功突破多種高純電子特氣的提純與混配技術，部分產品純度達到6N（99.9999%）級以上，成功進入中芯國際、長江存儲等主流產線，替代率持續提高。

5. CMP拋光材料：從墊到液的全面突破
化學機械拋光（CMP）是實現晶圓全局平坦化的關鍵步驟。安集科技在拋光液領域已實現技術領先，其部分產品在邏輯和存儲芯片制程中成功替代國外供應商；鼎龍股份則在CMP拋光墊上打破國外壟斷，并獲得國內大產線的批量采購，實現了該環節材料的自主供應。

6. 靶材：已實現廣泛覆蓋
高純濺射靶材用于形成芯片內部的金屬導線。江豐電子、有研新材等企業已成為該領域的全球重要參與者，產品覆蓋鋁、鈦、銅、鉭等多種金屬及化合物靶材，技術達到國際先進水平，客戶遍及國內外主要半導體制造商，是我國半導體材料中替代較為成熟的環節之一。

7. 濕電子化學品：高純之路穩步前行
超凈高純試劑（如硫酸、氫氟酸、雙氧水等）用于清洗、蝕刻等濕法工藝。多氟多、晶瑞電材、江化微等公司不斷提升產品等級，部分關鍵產品已達SEMI G4/G5等級，能夠滿足先進制程的部分需求，國內市場占有率穩步提升。

8. 石英制品：從材料到部件的延伸
高純石英材料及制品（如石英舟、石英法蘭）是晶圓制造過程中重要的承載與耗材。菲利華、石英股份等公司在高純石英砂合成、石英制品加工方面具備深厚技術積累，產品已廣泛應用于國內半導體產線，支撐了熱加工、擴散等環節的穩定運行。

9. 光掩模版：本土化配套加速
光掩模版是光刻工藝的“底片”，技術密集。清溢光電、路維光電等國內掩模版企業已具備180nm及以上工藝節點的掩模版量產能力，并正在向更高階的130nm、90nm節點推進，為設計公司和fab廠提供了重要的本土化配套選擇。

10. 封裝材料：先進封裝驅動創新
隨著Chiplet、3D封裝等先進封裝技術興起，封裝材料成為新的焦點。在封裝基板、塑封料、底部填充膠、導熱界面材料等方面，興森科技、華海誠科、德邦科技等國內企業正加緊研發，部分產品已適配先進封裝需求，致力于構建完整的國產封裝材料體系。

與展望
中國半導體材料產業正經歷一場從“全面進口”到“多點突破”的深刻變革。在十大關鍵材料領域，國產化替代已全面鋪開，并在電子特氣、靶材、拋光材料等部分環節取得了市場主導或技術并跑的亮眼成績。我們也必須清醒認識到，在光刻膠、大硅片（最先進規格）、部分高端封裝材料等最尖端的“最后一公里”，與國際頂尖水平仍有差距，需要持續的研發投入、產業鏈協同與人才培養。

半導體材料的突破非一日之功，它是一座需要耐心、專注和長期主義去攀登的高峰。從材料開始，中國半導體產業正在夯實基礎，逐步構建起自主可控的供應鏈護城河。前路雖仍有挑戰，但方向已然清晰，步伐正在加快。真正的“不再被卡脖子”，正從這些基礎材料的點滴突破中，照進現實。